Chất nền GaAs
Sự miêu tả
Gallium Arsenide (GaAs) là chất bán dẫn hợp chất nhóm III-Ⅴ quan trọng và trưởng thành, nó được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực quang điện tử và vi điện tử.GaAs chủ yếu được chia thành hai loại: GaAs bán cách điện và GaAs loại N.GaAs bán cách điện chủ yếu được sử dụng để chế tạo các mạch tích hợp có cấu trúc MESFET, HEMT và HBT, được sử dụng trong truyền thông radar, vi sóng và sóng milimet, máy tính tốc độ cực cao và truyền thông sợi quang.GaAs loại N chủ yếu được sử dụng trong LD, LED, laser hồng ngoại gần, laser công suất cao giếng lượng tử và pin mặt trời hiệu suất cao.
Của cải
| Pha lê | pha tạp | Loại dẫn điện | Nồng độ dòng chảy cm-3 | Mật độ cm-2 | Phương pháp tăng trưởng |
| GaAs | Không có | Si | / | <5×105 | LE C |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Định nghĩa chất nền GaAs
Chất nền GaAs dùng để chỉ chất nền làm từ vật liệu tinh thể gali arsenide (GaAs).GaAs là một chất bán dẫn hỗn hợp bao gồm các nguyên tố gali (Ga) và asen (As).
Chất nền GaAs thường được sử dụng trong lĩnh vực điện tử và quang điện tử do tính chất tuyệt vời của chúng.Một số tính chất chính của chất nền GaAs bao gồm:
1. Độ linh động điện tử cao: GaAs có độ linh động điện tử cao hơn các vật liệu bán dẫn thông thường khác như silicon (Si).Đặc tính này làm cho chất nền GaAs phù hợp với các thiết bị điện tử công suất cao tần số cao.
2. Khoảng cách dải trực tiếp: GaAs có khoảng cách dải trực tiếp, nghĩa là sự phát xạ ánh sáng hiệu quả có thể xảy ra khi các electron và lỗ trống kết hợp lại.Đặc tính này làm cho chất nền GaAs trở nên lý tưởng cho các ứng dụng quang điện tử như điốt phát sáng (LED) và laser.
3. Khoảng cách rộng: GaAs có khoảng cách rộng hơn silicon, cho phép nó hoạt động ở nhiệt độ cao hơn.Thuộc tính này cho phép các thiết bị dựa trên GaAs hoạt động hiệu quả hơn trong môi trường nhiệt độ cao.
4. Độ ồn thấp: Chất nền GaAs có độ ồn thấp, khiến chúng phù hợp với các bộ khuếch đại độ ồn thấp và các ứng dụng điện tử nhạy cảm khác.
Chất nền GaAs được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử và quang điện tử, bao gồm bóng bán dẫn tốc độ cao, mạch tích hợp vi sóng (IC), tế bào quang điện, máy dò photon và pin mặt trời.
Những chất nền này có thể được điều chế bằng nhiều kỹ thuật khác nhau như Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD), Epit Wax chùm phân tử (MBE) hoặc Epit Wax pha lỏng (LPE).Phương pháp tăng trưởng cụ thể được sử dụng phụ thuộc vào ứng dụng mong muốn và yêu cầu chất lượng của chất nền GaAs.
