GAGG:Ce Scintillator, Pha lê GAGG, Pha lê nhấp nháy GAGG

GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) gadolinium nhôm gallium garnet pha tạp xeri.Đây là thiết bị nhấp nháy mới dùng cho chụp cắt lớp vi tính phát xạ đơn photon (SPECT), phát hiện tia gamma và điện tử Compton.GAGG:Ce pha tạp xeri có nhiều đặc tính phù hợp cho các ứng dụng quang phổ gamma và hình ảnh y tế.Năng suất photon cao và đỉnh phát xạ khoảng 530 nm làm cho vật liệu này rất phù hợp để được đọc bằng máy dò hệ số nhân quang Silicon.Epic Crystal đã phát triển 3 loại tinh thể GAGG:Ce, với tinh thể có thời gian phân rã nhanh hơn (GAGG-FD), tinh thể điển hình (GAGG-Balance), tinh thể có công suất phát sáng cao hơn (GAGG-HL), dành cho khách hàng ở các lĩnh vực khác nhau.GAGG:Ce là thiết bị nhấp nháy rất có triển vọng trong lĩnh vực công nghiệp năng lượng cao, khi được đặc trưng trong thử nghiệm tuổi thọ dưới 115kv, 3mA và nguồn bức xạ đặt cách tinh thể 150 mm, sau 20 giờ hiệu suất gần như tương đương với khi mới sử dụng. một.Điều đó có nghĩa là nó có triển vọng tốt để chịu được liều cao khi chiếu xạ tia X, tất nhiên điều đó phụ thuộc vào điều kiện chiếu xạ và trong trường hợp tiến xa hơn với GAGG cho NDT thì cần phải tiến hành thử nghiệm chính xác hơn nữa.Bên cạnh tinh thể GAGG:Ce đơn lẻ, chúng tôi có thể chế tạo nó thành mảng tuyến tính và mảng 2 chiều, kích thước pixel và dải phân cách có thể đạt được tùy theo yêu cầu.Chúng tôi cũng đã phát triển công nghệ cho gốm GAGG:Ce, công nghệ này có thời gian phân giải trùng hợp (CRT) tốt hơn, thời gian phân rã nhanh hơn và lượng ánh sáng phát ra cao hơn.