Chất nền PMN-PT
Sự miêu tả
Tinh thể PMN-PT được biết đến với hệ số ghép cơ điện cực cao, hệ số áp điện cao, độ biến dạng cao và tổn thất điện môi thấp.
Của cải
| Thành phần hóa học | ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Kết cấu | R3m, hình thoi |
| Lưới | a0 ~ 4.024Å |
| Điểm nóng chảy（oC） | 1280 |
| Mật độ (g/cm3) | 8.1 |
| Hệ số áp điện d33 | >2000 PC/N |
| Mất điện môi | tan <0,9 |
| Thành phần | gần ranh giới pha hình thái |
Định nghĩa chất nền PMN-PT
Chất nền PMN-PT dùng để chỉ một màng mỏng hoặc tấm wafer được làm từ vật liệu áp điện PMN-PT.Nó phục vụ như một cơ sở hoặc nền tảng hỗ trợ cho các thiết bị điện tử hoặc quang điện tử khác nhau.
Trong bối cảnh PMN-PT, chất nền thường là một bề mặt cứng phẳng, trên đó các lớp hoặc cấu trúc mỏng có thể được phát triển hoặc lắng đọng.Chất nền PMN-PT thường được sử dụng để chế tạo các thiết bị như cảm biến áp điện, bộ truyền động, bộ chuyển đổi và máy thu năng lượng.
Những chất nền này cung cấp một nền tảng ổn định cho sự phát triển hoặc lắng đọng của các lớp hoặc cấu trúc bổ sung, cho phép tích hợp các đặc tính áp điện của PMN-PT vào các thiết bị.Dạng màng mỏng hoặc wafer của chất nền PMN-PT có thể tạo ra các thiết bị nhỏ gọn và hiệu quả, tận dụng các đặc tính áp điện tuyệt vời của vật liệu.
Những sảm phẩm tương tự
Kết hợp mạng tinh thể cao đề cập đến sự liên kết hoặc kết hợp các cấu trúc mạng tinh thể giữa hai vật liệu khác nhau.Trong bối cảnh chất bán dẫn MCT (thủy ngân cadmium Telluride), sự kết hợp mạng tinh thể cao là mong muốn vì nó cho phép sự phát triển của các lớp epiticular chất lượng cao, không có khuyết tật.
MCT là vật liệu bán dẫn phức hợp thường được sử dụng trong máy dò hồng ngoại và thiết bị chụp ảnh.Để tối đa hóa hiệu suất của thiết bị, điều quan trọng là phải phát triển các lớp epiticular MCT phù hợp chặt chẽ với cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu nền bên dưới (thường là CdZnTe hoặc GaAs).
Bằng cách đạt được sự kết hợp mạng cao, sự liên kết tinh thể giữa các lớp được cải thiện và các khuyết tật và biến dạng ở bề mặt được giảm bớt.Điều này dẫn đến chất lượng tinh thể tốt hơn, tính chất điện và quang được cải thiện và hiệu suất thiết bị được nâng cao.
Khả năng kết hợp mạng cao rất quan trọng đối với các ứng dụng như chụp ảnh và cảm biến hồng ngoại, trong đó ngay cả những khiếm khuyết nhỏ hoặc không hoàn hảo cũng có thể làm giảm hiệu suất của thiết bị, ảnh hưởng đến các yếu tố như độ nhạy, độ phân giải không gian và tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu.
