Chất nền SiC
Sự miêu tả
Cacbua silic (SiC) là hợp chất nhị phân thuộc Nhóm IV-IV, là hợp chất rắn ổn định duy nhất trong Nhóm IV của Bảng tuần hoàn, là chất bán dẫn quan trọng.SiC có các đặc tính nhiệt, cơ, hóa và điện tuyệt vời, khiến nó trở thành một trong những vật liệu tốt nhất để chế tạo các thiết bị điện tử có nhiệt độ cao, tần số cao và công suất cao, SiC cũng có thể được sử dụng làm vật liệu nền cho điốt phát sáng màu xanh dựa trên GaN.Hiện nay, 4H-SiC là sản phẩm chủ đạo trên thị trường, loại dẫn điện được chia thành loại bán cách điện và loại N.
Của cải
| Mục | 2 inch 4H loại N | ||
| Đường kính | 2 inch (50,8mm) | ||
| độ dày | 350+/- 25um | ||
| Định hướng | lệch trục 4,0˚ về phía <1120> ± 0,5˚ | ||
| Định hướng phẳng chính | <1-100> ± 5° | ||
| Căn hộ thứ cấp Định hướng | 90,0˚ CW từ Mặt phẳng chính ± 5,0˚, Si Hướng lên | ||
| Chiều dài phẳng chính | 16 ± 2,0 | ||
| Chiều dài phẳng thứ cấp | 8 ± 2,0 | ||
| Cấp | Cấp sản xuất (P) | Cấp độ nghiên cứu (R) | Lớp giả (D) |
| Điện trở suất | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1·cm | < 0,1·cm |
| Mật độ micropipe | ≤ 1 micropipes/ cm2 | ≤ 1 0micropipes/ cm2 | ≤ 30 micropipes/ cm2 |
| Độ nhám bề mặt | Mặt Si CMP Ra <0,5nm, Mặt C Ra <1 nm | Không áp dụng, diện tích sử dụng > 75% | |
| TTV | < 8 ừm | < 10um | < 15 ừm |
| Cây cung | < ±8 ừm | < ± 10um | < ± 15um |
| Làm cong | < 15 ừm | < 20 ừm | < 25 ừm |
| vết nứt | Không có | Chiều dài tích lũy 3 mm | Chiều dài tích lũy 10mm, |
| Vết xước | 3 vết xước, tích lũy | 5 vết xước, tích lũy | ≤ 10 vết xước, tích lũy |
| Tấm lục giác | tối đa 6 tấm, | tối đa 12 tấm, | Không áp dụng, diện tích sử dụng > 75% |
| Khu vực đa dạng | Không có | Diện tích tích lũy 5% | Diện tích tích lũy ≤ 10% |
| Sự ô nhiễm | Không có | ||
